苏州特斯特公司(图)-精密制样设备-盐城精密制样

EMMI侦测的到亮点、热点(Hot Spot)情况；原来就会有的亮点、热点(Hot Spot)饱和区操作中的BJT或MOS(Saturated Or Active Bipolar Transistors /Saturated MOS)动态式CMOS (Dynamic CMOS)二极管顺向与逆向偏压崩溃 (Forward Biased Diodes /Reverse Biased Diodes Breakdown)侦测不到亮点情况不会出现亮点的故障奥姆或金属的短路(Ohmic Short / Metal Short)亮点被遮蔽之情况埋入式接面的漏电区(Buried Juncti)金属线底下的漏电区(Leakage Sites Under Metal)

微光显微镜是一种用于材料科学领域的分析仪器，精密制样设备，于2016年04月16日启用。前部照明的1.4兆像素增强型近红外相机; 珀尔贴风冷到 -45摄氏度 可捕更广范围波长的近红外光显微镜 软件控制5波段照明。主要功能编辑 语音l 栅氧化层漏电l p-n 结漏电l 热电子效应l CMOS闩锁效应l EOS/ESD 损伤l 饱和MOS器件l 模拟MOSFETs。

侦测到亮点之情况；

会产生亮点的缺陷：1.漏电结；2.解除毛刺；3.热电子效应；4闩锁效应； 5氧化层漏电；6多晶硅须；7衬底损失；8.物理损伤等。 侦测不到亮点之情况 不会出现亮点之故障：1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形（埋入式的接面及 大面积金属线底下的漏电位置）；2.欧姆接触；3.金属互联短路；4.表面 反型层；5.硅导电通路等。

点被遮蔽之情况：埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置，盐城精密制样，这种情 况可采用Backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及 抛光处理。

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