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EMMI侦测的到亮点、热点(Hot Spot)情况；原来就会有的亮点、热点(Hot Spot)饱和区操作中的BJT或MOS(Saturated Or Active Bipolar Transistors /Saturated MOS)动态式CMOS (Dynamic CMOS)二极管顺向与逆向偏压崩溃 (Forward Biased Diodes /Reverse Biased Diodes Breakdown)侦测不到亮点情况不会出现亮点的故障奥姆或金属的短路(Ohmic Short / Metal Short)亮点被遮蔽之情况埋入式接面的漏电区(Buried Juncti)金属线底下的漏电区(Leakage Sites Under Metal)

4探头超声波扫描显微镜分析系统，高速烧录器报价，四探头系统，同时使用4只换能器- 扫描速度：2000 mm/s- 与其它品牌相比扫描30%- 扫描范围：1000mm×700mm- 小扫描范围：200μm×200μm- 带宽：550MHz- 放大倍数：250倍- 新型FCT换能器。苏州特斯特电子科技有限公司，主要从事各类测试、检测仪器设备的代理销售和技术服务，产品涵盖电子元器件，电路板，线缆线束的测试与检测。设备主要来自于欧美日等测试设备制造国家。

EMMI微光显微镜

微光显微镜（Emission Microscope， EMMI）是常用漏电流路径分析手段。对于故障分析而言，微光显微镜（Emission Microscope，湖南高速烧录器， EMMI）是一种相当有用且效率极高的分析工具。主要侦测IC内部所放出光子。在IC元件中，EHP（Electron Hole Pairs）Recombination会放出光子（Photon）。如在P-N结加偏压，此时N阱的电子很容易扩散到P阱，高速烧录器设备，而P的空穴也容易扩散至N，然后与P端的空穴（或N端的电子）做EHP Recombination。在故障点定位、寻找近红外波段发光点等方面，微光显微镜可分析P-N接面漏电；P-N接面崩溃；饱和区晶体管的热电子；氧化层漏电生的光子激发；Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题.

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