特斯特(图)-EMMI微光显微镜-宿迁EMMI

微光显微镜侦测得到亮点之情况：会产生亮点的缺陷 - 漏电结（Junction Leakage）; 接触毛刺（Contact spiking）; （热电子效应）Hot electr;闩锁效应（ Latch-Up）;氧化层漏电（ Gate oxide defects / Leakage(F-N current)）;多晶硅晶须（Poly-silicon filaments）; 衬底损伤（Substrate damage）; （物理损伤）Mechanical damage等。原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse；biased diodes(break down) 等。

超声波扫描显微镜有两种工作模式：基于超声波脉冲反射和透射模式工作的。反射模式是主要的工作模式，它的特点是分辨率高，宿迁EMMI，对待测样品厚度的没有限制。透射模式只在半导体企业中用作器件筛选。该系统的就是带压电陶瓷的微波链，压电陶瓷在射频信号发生的激励下，产生短的声脉冲，EMMI 价格，随后这些声脉冲被声透镜聚焦在一起，EMMI微光显微镜，超声波扫描显微镜的这 个带压电陶瓷的部件叫换能器，EMMI 失效分析，英文是：Transducer。换能器既能把电信号转换成声波信号，又能把从待测样品反射或透射回来的声波信号转换成电信 号，送回系统进行处理。

EMMI侦测的到亮点、热点(Hot Spot)情况；原来就会有的亮点、热点(Hot Spot)饱和区操作中的BJT或MOS(Saturated Or Active Bipolar Transistors /Saturated MOS)动态式CMOS (Dynamic CMOS)二极管顺向与逆向偏压崩溃 (Forward Biased Diodes /Reverse Biased Diodes Breakdown)侦测不到亮点情况不会出现亮点的故障奥姆或金属的短路(Ohmic Short / Metal Short)亮点被遮蔽之情况埋入式接面的漏电区(Buried Juncti)金属线底下的漏电区(Leakage Sites Under Metal)

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