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EMMI可广泛应用于侦测各种组件缺陷所产生的漏电流,包括闸极氧化层缺陷(Gate oxide defects)、静电放电破坏(ESD Failure)、闩锁效应(Latch Up)、漏电(Leakage)、接面漏电(Junction Leakage) 、顺向偏压(Forward Bias)及在饱和区域操作的晶体管,可藉由EMMI定位,找热点(Hot Spot 或找亮点)位置,精细研磨设备价格,进而得知缺陷原因,帮助后续进一步的失效分析。

红外光显微镜是一种利用波长在800nm到20μm范围内的红外光作为像的形成者,用来观察某些不透明物体的显微镜。这种显微镜在生物学中的用途远远比不上紫外光显微镜。在技术上使用红外光与使用可见光相比较,差异并不像使用紫外光那样大。对于直到波长为1500nm的红外光来说,一般的标准物镜仍然是可以用的。当然,在波长超过1000nm时,像的质量就开始受到损害,这主要是由于球面差。既就是使用专门设计用于红外光的消色差物镜,在波长超过1200nm时,色差也会变得明显起来。当红外光的波长达到3000nm时,精细研磨,玻璃就变得不透明了,这时必须使用象碘化铊这样的特殊材料制作透镜,精细研磨机器,但是使用这种材料要制造出在足够宽的波长范围内的矫正透镜仍然是困难的。对于被长超过1500nm范围的红外光,经常使用反射物镜或反射一折射物镜。在理论上,在一个完全的反射显微镜中可以用波长直到20μm的红外光形成物体的像,然而要制造较高孔径的反射物镜却是相当困难的。对于取决于孔径的分辨力来说,小孔径是更大的缺点,而且分辨力会随着波长的增大而相应地减小。因此,既就是使用近红外光,在分辨力上的损失也是十分明显的。

微光显微镜侦测得到亮点之情况:会产生亮点的缺陷 - 漏电结(Junction Leakage); 接触毛刺(Contact spiking); (热电子效应)Hot electr;闩锁效应( Latch-Up);氧化层漏电( Gate oxide defects / Leakage(F-N current));多晶硅晶须(Poly-silicon filaments); 衬底损伤(Substrate damage); (物理损伤)Mechanical damage等。原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse;biased diodes(break down) 等。

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